【图文导读】图一、思科材料合成及表征(a)O-FeNCN/S制备工艺示意图。
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对原子Pt位点及其局部结构环境的催化行为进行解读,整版有助于提高催化性能。暴露不协调的Pt位,思科优化反应中间体(例如H*、O*、OH*和OOH*)对Pt位的吸附能够大幅提高电催化活性。
(c)热处理前,打造PtTe2薄片中相邻Te-SAV的统计距离图。
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由于设计参数空间巨大,整版采用计算的方法探究参数之间的作用机制、并对配方进行高通量筛选,有望大幅促进高性能热界面材料的研发。随着封装结构变得越来越复杂并逐渐向小型化和高功率化发展,思科电子产品产生的热量也随之增加。